Qualcomm Snapdragon 855

Qualcomm Snapdragon 855 Mobile Platform es un SoC de gama alta para smartphones y tabletas que Qualcomm anunció en diciembre de 2018. El SoC integra un veloz ��Prime Core�� que llega a una velocidad de hasta 2,84 GHz y otros tres núcleos de rendimiento ARM Cortex-A76 rápidos, que pueden alcanzar hasta 2,42 GHz. Estos se complementan con cuatro núcleos ARM Cortex-A55 de ahorro de energía que alcanzan un máximo de 1,8 GHz. La velocidad ��Prime Core�� más alta debe proporcionar un rendimiento single core significativamente mejor que el Snapdragon 845, pero sospechamos que el Snapdragon 855 no alcanzará al Apple A12 Bionic. El nuevo SoC debe tener un rendimiento single core hasta 45% más rápido y un rendimiento multi core 35% más rápido que su predecesor. Qualcomm elogia la habilidad del Snapdragon 855�� de mantener su rendimiento ante una carga sostenida, superando al SoC Apple A12 Bionic y el HiSilicon Kirin 980.

El SoC también integra el nuevo módem LTE X24 que Qualcomm promete que ofrecerá una velocidad máxima de descarga de hasta 2 Gbit/s sobre LTE Cat.20 y velocidades de carga de hasta 316 Mbit/s. El Snapdragon 855 también puede ser configurado con el nuevo módem X50 5G de la compañía.

Qualcomm también ha mejorado el módem Wi-Fi integrado, que está listo para Wi-Fi 6, tiene Sonido 8x8 y admite hasta Wi-Fi 802.11 ay. El módem Wi-Fi puede utilizar la banda de 60 GHz mmWave para velocidades de internet de hasta 10 Gbit/s.

El DSP Hexagon 690 ha sufrido la mayor cantidad de revisiones que Qualcomm ha integrado en el Snapdragon 855. El nuevo DSP incorpora una unidad de procesamiento neuronal (NPU) con núcleos Tensor dedicados que pueden ejecutar hasta 7 trillones de operaciones por segundo junto con la CPU y la GPU. En resumen, el Snapdragon 855 debería ser tres veces más rápido que el Snapdragon 845 y dos veces más rápido que el SoC Kirin 980.

El Snapdragon 855 también tiene un Spectra 380 ISP a bordo, que es el primer chip del mundo en incorporar un motor de visión por computadora (CV-ISP) que puede realizar cálculos de profundidad en vídeos de hasta 60 FPS. El Snapdragon 855 debería ofrecer modos de retrato en tiempo real o ser capaz de detectar objetos con un consumo de energía relativamente bajo.

El controlador de memoria incorporado soporta hasta 16 GB de RAM LPDDR4x (4 x 16 bits). Además, el Adreno 640 tiene un 50% más de unidades de cómputo (ALU) que el Adreno 630, mientras que Qualcomm afirma que debería ser un 20% más rápido que su predecesor. Actualmente no sabemos a qué velocidad funcionará el Adreno 640 ya que Qualcomm no lo anunció durante el anuncio del Snapdragon 855.

Qualcomm fabricará el Snapdragon 855 en Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) utilizando un proceso FinFET de 7 nm. El cambio a la fabricación a 7 nm debería hacer que el SD855 sea un 20% más eficiente que el SD845. Qualcomm no ha anunciado oficialmente la potencia de diseño térmico (TDP) del SD855, pero sospechamos que el SoC alcanzará un máximo de 5 W y promediará alrededor de 3,5 W bajo carga.