La empresa china de chips Numemory está ampliando su línea de memorias de clase de almacenamiento (SCM) con el NM102, un chip de memoria celular de un solo nivel de 128 gigabits (16 GB). Este nuevo chip supone un importante salto de capacidad respecto a su primera generación NM101 de 64 Gb que salió al mercado en septiembre de 2023.
Con sede en Wuhan y conocida oficialmente como Xincun Technology, la empresa construyó estos chips de memoria para combinar un rendimiento similar al de la DRAM con las ventajas del almacenamiento flash NAND. La NM102 sigue utilizando la interfaz NAND estándar de 3200 MT/s y un voltaje de E/S de 1,2 V como su modelo anterior, pero ahora incorpora el doble de almacenamiento.
La tecnología de Numemory busca tiempos de respuesta de microsegundos, situándose entre la velocidad de nanosegundos de la memoria DRAM y el ritmo más lento de la memoria flash NAND tradicional. Para que se haga una idea, la mayoría de los chips NAND 3D TLC modernos alcanzan unos 80 microsegundos para las operaciones de lectura, con tiempos de escritura de cientos de microsegundos.
Estos nuevos chips podrían utilizarse como bloques de construcción para unidades de estado sólido, pero su baja capacidad por chip podría ser un pequeño inconveniente para los factores de forma habituales. Por ejemplo, una SSD M.2-2280 necesitaría bastantes de estos chips para alcanzar capacidades competitivas, ya que sólo caben cuatro paquetes de memoria por lado.
Numemory, que se fundó en julio de 2022, cuenta ahora con unos 220 empleados, y aproximadamente el 80% de ellos se dedican a la investigación y el desarrollo. Aunque la empresa no ha compartido muchos detalles sobre cómo fabrican estos chips o los detalles técnicos de la tecnología, este avance marca otro paso en el impulso de China hacia la autosuficiencia en semiconductores. Es aún más notable ahora que una tecnología similar, como la memoria Optane de Intel, ya no existe.
Fuente(s)
TomsHardware (en inglés) & Numemory (en chino)
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