El enfoque computacional de Samsung se centra en 18 materiales de calcogenuro para la memoria SOM de próxima generación

Con un enfoque inteligente, Samsung está avanzando en el desarrollo de la tecnología Selector-Only Memory (SOM): están utilizando modelos computacionales avanzados para centrarse en los mejores materiales de calcogenuro para la memoria de próxima generación. Su equipo de investigación examinó más de 4.000 combinaciones de materiales diferentes y las redujo a 18 que parecen prometedoras para las pruebas en la vida real.

La tecnología SOM podría suponer un salto de gigante en el diseño de memorias, ya que combina lo mejor de ambos mundos: tiene las ventajas no volátiles del almacenamiento flash, pero mantiene la velocidad de la DRAM. Utiliza materiales de calcogenuro para actuar tanto como células de memoria como selectores, prescindiendo de la necesidad de transistores separados que encontraría en las configuraciones más comunes de RAM de cambio de fase o resistiva.

El equipo utilizó complejas simulaciones para examinar las propiedades de unión, la estabilidad de los materiales bajo el calor y su comportamiento eléctrico. Se centraron en aspectos como cuánto se desvía el voltaje umbral y lo estable que es la ventana de memoria, lo que básicamente significa lo bien que mantiene los estados de encendido y apagado distintos entre sí.

Samsung tiene previsto presentar estos hallazgos en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos que se celebrará en San Francisco el próximo mes de diciembre. Creen que este enfoque computacional podría haberles conducido a materiales de alto rendimiento que las pruebas tradicionales de laboratorio podrían haber pasado por alto.

Todo esto se basa en el trabajo anterior de Samsung en el IEDM 2023, donde mostraron un SOM basado en OTS de 64 Gbit con diminutas células de memoria de 16 nm.