El segundo nodo de 3 nm de Samsung Foundry supuestamente aquejado de bajos rendimientos

Samsung confirmó anteriormente su primer SoC de 3 nm para smartphones fabricado en su segundo proceso de 3 nm (SF3GAP). Se cree ampliamente que se trata del next-gen Exynos 2500 que impulsará el Galaxy S25 del año que viene. Sin embargo, es posible que pase algún tiempo antes de que entre en producción en masa, ya que aún sufre de bajos rendimientos, como afirma un informe del medio de noticias coreano Dealsite (vía @Revegnus1 en X).

En su estado actual, el rendimiento del nodo 3GAP de Samsung ronda el 20%, lo que significa que 8 de cada 10 chips de una oblea son defectuosos. Esta cifra es muy inferior al 50% que destacaba un informe anterior de la misma publicación. Por otra parte, no especificaba si se trataba del 3GAP o del 3GAA original. Por otra parte, el nodo N3B de TSMC parece ir mejor con ~55% de rendimiento . Por desgracia, no se sabe nada de cómo le va a su sucesor, el N3E.

Aun así, un 20% es preocupantemente bajo y Samsung tiene mucho trabajo por hacer antes de empezar a producir en masa el Exynos 2500 y cualquier otro chip que utilice SF3GAP. Un informe de Digitimes afirma que Samsung iniciará la producción a gran volumen del Exynos 2500 en la segunda mitad de 2024. En el mejor de los casos, esto debería traducirse en un mayor refinamiento del proceso y mejores rendimientos.