El yoduro de níquel podría ser la clave de los dispositivos de memoria ultrarrápidos y más pequeños del futuro, según una investigación

Científicos de la Universidad de Texas en Austin y del Instituto Max Planck creen haber encontrado un ingrediente clave para los dispositivos de memoria superrápidos y diminutos: el yoduro de níquel (_NiI2).

Los materiales normales pueden ser magnéticos o eléctricos. Los multiferroicos ofrecen básicamente lo mejor de ambos mundos: tienen propiedades tanto magnéticas como eléctricas. Esto los hace ideales para crear dispositivos electrónicos más pequeños y rápidos.

La característica más interesante de los multiferroicos es algo llamado "acoplamiento magnetoeléctrico". En estos materiales, un campo eléctrico puede cambiar el magnetismo, y viceversa. El _NiI2 tiene el acoplamiento magnetoeléctrico más fuerte jamás descubierto. Esta es precisamente la razón por la que el _NiI2 podría ser decisivo en el desarrollo de dispositivos de memoria superrápidos. Olvídese de los voluminosos lápices de memoria, el _NiI2 podría ayudar a crear memorias mucho más pequeñas y ligeras. Además, estos nuevos dispositivos de memoria consumirán probablemente menos energía, lo que los hará más respetuosos con el medio ambiente.

Los investigadores utilizaron ráfagas de láser superrápidas para "excitar" el material _NiI2 y luego observaron cómo cambiaban su magnetismo y su electricidad, todo ello en el rango de los femtosegundos (una millonésima de una milmillonésima de segundo). También realizaron complejos cálculos para comprender por qué el _NiI2 tiene un efecto de acoplamiento tan fuerte.

Es posible que el _NiI2 también cambie las reglas del juego en otros ámbitos. Podría utilizarse para crear conexiones diminutas dentro de los ordenadores cuánticos. Incluso podría ser útil en la construcción de mejores sensores químicos para cosas como el control de calidad y la seguridad de los medicamentos.

Los investigadores están tratando de encontrar más materiales con propiedades similares al _NiI2. Además, los científicos están explorando formas de mejorar aún más (y utilizar) las ya impresionantes capacidades del _NiI2. También están tratando de explorar las propiedades ferroeléctricas del hafnio para diseñar una memoria que sea mejor y más barata que la NAND.