Infineon presenta las obleas de silicio más finas del mundo, con 20 micrómetros de grosor
Infineon Technologies AG ha anunciado un importante avance en la fabricación de semiconductores: ha fabricado y procesado obleas de potencia de silicio ultrafinas de 300 mm. Con sólo 20 micrómetros de grosor, aproximadamente la anchura de un cabello humano, estas obleas establecen un nuevo récord de delgadez a la vez que aumentan el rendimiento y la eficiencia a lo grande.
Estas innovadoras obleas, desarrolladas y producidas por Infineon, tienen sólo la mitad de grosor que el estándar actual de la industria, de 40-60 micrómetros. Al eliminar ese grosor extra, han reducido la resistencia del sustrato en un 50%, lo que supone una reducción de la pérdida de potencia de más del 15% en comparación con las obleas de silicio tradicionales.
Llegar a ese ambicioso grosor de 20 micrómetros no fue fácil. Los ingenieros de Infineon tuvieron que superar un montón de retos técnicos. Idearon un nuevo método de rectificado de obleas para manipular la pila metálica que sujeta el chip en la oblea, que en realidad es más gruesa que 20 micrómetros. Además, tuvieron que lidiar con problemas como el arqueamiento de las obleas y los problemas de separación durante el montaje posterior, asegurándose de que las obleas se mantuvieran robustas a la vez que seguían encajando en las líneas de producción de gran volumen existentes de Infineon.
La tecnología de obleas ultrafinas ya se ha probado y puesto en marcha en las etapas de potencia inteligentes integradas de Infineon para la conversión CC-CC, y ya se están enviando a los clientes. La empresa espera que este diseño energéticamente eficiente sustituya a las actuales obleas convertidoras de potencia de bajo voltaje en los próximos tres o cuatro años.
Infineon tiene previsto mostrar al público la oblea de silicio ultrafina en Electronica 2024, del 12 al 15 de noviembre en Múnich.
Fuente(s)
Infineon (en inglés)
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