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Intel anuncia el empaquetado en sustrato de vidrio de los futuros procesadores y aspira a tener un billón de transistores por chip en 2030

Interconexiones de sustrato de vidrio en la parte posterior de una CPU (Fuente de la imagen: Intel)
Interconexiones de sustrato de vidrio en la parte posterior de una CPU (Fuente de la imagen: Intel)
Está previsto que la tecnología de sustrato de vidrio de Intel para envases avanzados de nueva generación haga su debut en la segunda mitad de esta década. Este gran avance permitirá seguir ampliando el número de transistores en un encapsulado y avanzar en la Ley de Moore para ofrecer aplicaciones de IA, HPC y gráficos más rápidas.

A medida que los transistores se acercan al umbral subnanométrico, la Ley de Moore parece haberse ralentizado considerablemente. Los fabricantes de chips llevan varios años intentando encontrar nuevos materiales que permitan escalar los transistores en la era de los angstroms, y algunas de las mejores soluciones hasta ahora son las nanoplanchas de carbono y los grafenos. Sin embargo, los sustratos de embalaje también son importantes para mejorar el escalado. Hemos visto nuevos empaquetado 3D 3D, pero Intel está introduciendo ahora un material de sustrato totalmente nuevo, sustituyendo sus soluciones orgánicas (plástico) de hace 20 años por los primeros sustratos de vidrio de la industria.

Intel lleva casi una década desarrollando los nuevos sustratos de vidrio y calcula que esta tecnología debería durar al menos unas cuantas décadas más. Algunas de las ventajas que aportan los materiales de vidrio son una planitud ultrabaja, una mayor estabilidad térmica y mecánica, así como mejores propiedades ópticas, lo que se traduce en una densidad de interconexión mucho mayor en un sustrato. De este modo, los futuros procesadores podrán albergar más mosaicos o chiplets en un espacio más reducido. Intel cree que la densidad podría alcanzar 1 billón de transistores por encapsulado en 2030. Gracias a su mayor tolerancia a temperaturas más elevadas, los sustratos de vidrio permiten mejores soluciones de suministro de energía al tiempo que logran una señalización de alta velocidad mediante interconexiones ópticas necesaria a mucha menor potencia.

Con la transición a los sustratos de vidrio, Intel vuelve a asumir un papel de liderazgo, al igual que hizo en la década de 1990 con la introducción de los encapsulados halógenos y sin plomo o, más recientemente, con el apilamiento de paquetes 3D 3D. Los nuevos sustratos de vidrio se combinarán a la perfección con los avances de PowerVia y RibbonFET introducidos recientemente para ampliar el escalado más allá de los nodos de proceso 18A. Inicialmente, Intel tiene previsto introducir los sustratos de vidrio en paquetes de gran factor de forma adecuados para el avance de la IA, la HPC y las aplicaciones gráficas.

 

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Bogdan Solca, 2023-09-20 (Update: 2024-08-15)