La GPU Adreno 740 del Samsung Galaxy S23 Ultra supera a la Adreno 730 del S22 Ultra en Vulkan en más de un 56%
El componente gráfico integrado del próximo Samsung Galaxy S23 Ultra (chipset Snapdragon 8 Gen 2), el Qualcomm Adreno 740parece que será una de las posibles sorpresas del smartphone en términos de rendimiento. Los informes sobre la iGPU ya han revelado que la Adreno 740 puede incluso superar al Apple A16 Bioniclo que no es poca cosa, ya que los SoC de Applesuelen considerarse superiores en este apartado. La Adreno 740 obtuvo recientemente una puntuación de 10.744 en Vulkan en Geekbench, con cinco registros proporcionan información suficiente para formar una puntuación media de 9.844 (9.802 si se eliminan los valores atípicos más altos y más bajos).
Esta puntuación media del Galaxy S23 Ultra y su Adreno 740 es suficiente para situar al Galaxy S22 Ultra con su iGPU Adreno 730. Geekbench registra actualmente una media de 6.233 para la Adreno 730 en Vulkan, aunque hay que señalar que esto cubre cualquier smartphone con este chipset en particular y no sólo el S22 Ultra. Sin embargo, la puntuación media de los últimos recientes de S22 Ultra es en realidad de 6.276, por lo que la cifra global del Adreno 730 es similar. Merece la pena mencionar lo bien que va el AMD-assisted Samsung Xclipse 920 ya que esta GPU en concreto aparece en el Exynos 2200 que se utilizó en los modelos europeos Galaxy S22 Ultra. La media de https://browser.geekbench.com/vulkan-benchmarks para la parte con arquitectura RDNA2 es de 8.418 en Vulkan en Geekbench.
Sin embargo, se trata de Adreno 740 vs. Adreno 730 y S23 Ultra vs. S22 Ultra sin preocuparse de las diferencias entre los chipsets Global/Europa. La media de 9.844 del primero es una enorme mejora del +57,93% sobre la media del segundo, y sigue estando un +56,85% por encima de la media de los resultados más recientes del benchmark S22 Ultra/Adreno 730. El Snapdragon 8 Gen 2 y su potente GPU Adreno 740 han sido producidos por TSMC (4 nm N4), mientras que el Snapdragon 8 Gen 1 con Adreno 730 fue fabricado por Samsung (4 nm 4LPE). Parece que fue una idea inteligente por parte de Samsung no mostrar ningún resentimiento a la hora de bendecir la próxima Galaxy Serie S23 con chips fabricados por una fundición de semiconductores rival, aunque la falta de opciones habría sido un factor decisivo.
