La carrera de 3nm está en marcha: Samsung supuestamente invierte 10 mil millones de dólares en las instalaciones de semiconductores de Austin, Texas

El movimiento de Samsung podría significar que los chips GaaFET de 3nm lleguen al mercado en 2024 (Fuente de la imagen: Samsung)

Mientras TSMC sigue adelante con sus planes para la litografía FinFET de 3nm, Samsung, según se informa, está invirtiendo más de 10.000 millones de dólares en una instalación en Austin, Texas, para llevar adelante su propia estrategia de fabricación de 3nm

Arjun Krishna Lal, Published 01/24/2021 🇺🇸 🇫🇷 ...

Según un informe de ITHome, Samsung aparentemente planea invertir más de 10 mil millones de dólares en una nueva planta de fabricación de chips semiconductores en Texas. El informe afirma que Samsung espera ganar nuevos clientes en los EE.UU. a causa de esta nueva instalación "Made in America".

Los plazos de producción siguen sin estar claros. Sin embargo, fuentes de ITHome insinúan que las operaciones sólo comenzarían en 2023 como muy pronto. Esto podría significar que tendremos que esperar hasta el 2024 o 2025 para ver los chips EUV de 3nm de Samsung en los dispositivos de envío.

Se informa que el movimiento de Samsung se debe a la preocupación por el progreso que el rival TSMC ha estado haciendo en 3nm. A diferencia de Samsung, que planea aprovechar la tecnología GaaFET (Gate-all-around FET), TSMC se aferra a la probada y verdadera tecnología FinFET: será interesante ver cómo funciona FinFET en 3nm, y hasta qué punto las modificaciones de TSMC mitigarán el tunelado cuántico y otros efectos.

Los chips de Samsung pueden llegar al mercado un poco más tarde, pero el GaaFET tiene el potencial de ofrecer una eficiencia térmica y energética superior.

Compre el Samsung Galaxy S21 Ultra 5G aquí en Amazon