La memoria DRAM LPDDR4 de 10 nm más avanzada de SK Hynix para dispositivos móviles ya está en producción en masa
SK Hynix presenta hoy (12 de julio de 2021) una nueva forma de DRAM para móviles. Esta "1a" (o cuarta generación de 10nm) podría ser una memoria LPDDR4; sin embargo, el OEM afirma que ostenta un nuevo récord de velocidad de transferencia para este estándar JEDEC: 4.266 megabits por segundo (Mb/s), al tiempo que consume hasta un 20% menos energía que su predecesor 1z
El 1a (también conocida como 1anm) DRAM es también la primera SK Hynix LPDDR4 que utiliza el proceso Proceso EUV reservado normalmente a los conjuntos de chips o módulos de gama alta. El fabricante de equipos originales señala que esta mejora significa que puede obtener un 25% más de chips individuales por superficie de oblea en comparación con la técnica utilizada para 1znm.
Por tanto, SK Hynix indica que tiene el potencial de ser más rentable, además de ser más rápido y eficiente en cuanto a energía. Esto podría mantener su LPDDR4 sea relevante y atractivo para los OEM de teléfonos inteligentes, incluso ante el aumento de la próxima generación Basada en DDR5 Además, su adopción podría dar lugar a dispositivos de gama media bien dotados para los consumidores del futuro inmediato.
No obstante, LPDDR5 podría convertirse rápidamente en la norma en los niveles superiores del mismo mercado. Tal vez sea bueno que SK Hynix también haya anunciado en https://news.skhynix.com/sk-hynix-starts-mass-production-of-1anm-dram-using-euv-equipment/ que está casi listo para aplicar el nuevo proceso EUV de 1 anm a la producción de esta nueva DRAM de esta nueva DRAM. Los chips de nueva generación resultantes podrían empezar a estar disponibles a partir de 2022.
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