Las especificaciones preliminares de la DDR7 sitúan la velocidad máxima de la memoria RAM de nueva generación en 5 veces la de la DDR5 estándar
Samsung acaba de anunciar https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr5/ sus módulos DDR5 de gama alta, destinados a las exigencias de las aplicaciones de servidor de nueva generación hasta ahora. El fabricante afirma que aprovecha la nueva memoria RAM Estándar JEDEC estándar JEDEC (que implica duplicar el rendimiento de la memoria DDR4 para llegar a una velocidad máxima de transferencia de datos de 6.400 megatransferencias por segundo (MT/s)) para producir un producto final capaz de alcanzar velocidades de 7.200 megabits por segundo (Mb/s).
Sin embargo, el gigante surcoreano tiene ahora una hoja de ruta de desarrollo que comienza con un sustituto directo de este nuevo estándar de gama alta, avanzando a través de pasos como su de bajo consumo hasta llegar a una nueva "forma final" conocida como GDDR7
En consecuencia, la primera etapa de este viaje se conocerá (casi inevitablemente) como DDR6. Está previsto que ofrezca el doble de mejoras en muchas de las especificaciones prevalentes de la DDR5, su velocidad de reloj estándar máxima exigida por el JEDEC, el recuento de bancos de memoria y el número de canales de 16 bits incluidos. En consecuencia, esta próxima DRAM de Samsung podría ser capaz de alcanzar los 12.800MT/s, tener 64 bancos y ser de cuatro canales por defecto
Además, como la DDR5 overclockeada está programada para alcanzar un máximo de 8.400MT/ssu sucesora podría alcanzar nada menos que 17.000MT/s en condiciones similares. Además, se cree que Samsung se está adelantando a lo que vendrá después, con planes no sólo de opciones de bajo consumo, sino de una generación intermedia de GDDR6+
La primera de ellas - LPDDR6 - puede que no mejore las especificaciones actuales previstas para LPDDR5 (6.400 MT/s como máximo) o incluso LPDDR5X (con un potencial de ~8.500MT/s) tanto como ofrecer una eficiencia energética avanzada en su lugar.
No se sabe mucho sobre GDDR6+ aunque se espera que ofrezca a los usuarios ganancias similares a las de la versión estándar, del orden de 24.000 MT/s, basadas en un proceso de nueva generación de "1z-nanómetro" (nm; presumiblemente una progresión del actual método de producción EUV de 10nm de Samsung) hasta que llegue la última gran actualización, la GDDR7 hasta que llegue la última gran actualización, la GDDR7.
Esa generación está supuestamente destinada a alcanzar velocidades de hasta 32.000MT/s. También se prevé que incorpore algo llamado "función de protección contra errores en tiempo real", mientras que la DDR5 de Samsung presume de tecnología de "corrección de errores en el disco"
Fuente(s)
