Los módulos DDR5 de Micron alcanzan los 9200MT/s utilizando litografía EUV

Micron Technology acaba de convertirse en el primer fabricante de memorias en enviar unidades de muestra de módulos DDR5 construidos en su nodo DRAM de 10nm de sexta generación, también conocido como 1γ (1-gamma). Por primera vez, Micron utiliza la litografía EUV (ultravioleta extremo) en su proceso de fabricación, lo que aporta notables ganancias en velocidad, eficiencia energética y rendimientos de producción.

Gracias a este nuevo enfoque, los circuitos integrados DDR5 de 16 GB de Micron pueden alcanzar velocidades de hasta 9200MT/s. Esto supone un sólido aumento del rendimiento del 15 por ciento en comparación con la anterior generación 1β (1-beta), todo ello al tiempo que se reduce el consumo de energía en más de un 20 por ciento. Además, la técnica de producción actualizada proporciona una densidad de bits superior en más de un 30 por ciento, lo que podría ayudar a reducir los costes una vez que madure el proceso de fabricación.

"La experiencia de Micron en el desarrollo de tecnologías DRAM propias, combinada con nuestro uso estratégico de la litografía EUV, ha dado como resultado una sólida cartera de productos de memoria basados en 1γ de última generación preparados para impulsar el ecosistema de la IA", afirmó Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y productos de Micron.

Micron tiene previsto utilizar el nodo 1γ en una amplia gama de futuras soluciones de memoria, entre ellas

Aplicaciones de centros de datos: Ofreciendo un rendimiento hasta un 15 por ciento más rápido junto con una mayor eficiencia energética para mantener bajo control el consumo de energía y el calor.

Dispositivos móviles: Las variantes LPDDR5X soportarán experiencias de IA de vanguardia directamente en su smartphone o tableta.

Sistemas de automoción: LPDDR5X con una velocidad de hasta 9600MT/s ampliará la capacidad, prolongará la vida útil de los productos y ofrecerá un mayor rendimiento.

Tanto AMD como Intel ya han empezado a validar la nueva línea DDR5 de Micron. Amit Goel, vicepresidente corporativo de ingeniería de soluciones para plataformas de servidores de AMD, destacó cómo esta colaboración se alinea con los esfuerzos de la empresa por seguir perfeccionando sus procesadores EPYC y el hardware orientado al consumidor. Por su parte, el Dr. Dimitrios Ziakas, de Intel, llamó la atención sobre la mejora de la eficiencia energética y la mayor densidad que beneficiarán a los entornos de servidor y a los PC impulsados por IA.

En la actualidad, Micron produce estos chips DRAM de 1γ en sus instalaciones de Japón, donde la empresa introdujo su primer sistema de litografía EUV en 2024. A medida que aumente la producción, Micron tiene previsto instalar equipos EUV adicionales en sus instalaciones tanto de Japón como de Taiwán.