Los próximos chips de 3 nm de Samsung se descubren en plataformas de minería de criptomonedas

Sustancialmente más eficiente que los modelos anteriores, pero aún más caro. (Fuente de la imagen: Whatsminer)

Mientras que los primeros chips de 3 nm de grandes empresas como Apple podrían lanzarse a finales de 2023, empresas oscuras como MicroBT ya ofrecen tecnología de 3 nm a los criptomineros por una prima sustancial. Recientemente se descubrió que el modelo M56S++ de MicroBT incluye ASICs producidos en los primeros nodos de 3 nm de Samsung con un diseño de transistor de compuerta completa.

Bogdan Solca, Published 07/20/2023 🇺🇸 🇫🇷 ...

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Samsung fue la primera empresa en introducir el diseño de transistor "gate-all-around" en sus nodos SF3E de producción en serie el verano pasado, pero los rendimientos iniciales parecían muy bajos. Samsung prometió mejoras en los dos años siguientes 3 nm se sitúa ahora en el 60%mientras que la segunda generación SF3 también está previsto que los nodos de segunda generación entren en funcionamiento en 2024. A pesar de los bajos rendimientos iniciales, Samsung consiguió conseguir pedidos de grandes clientes como Nvidia, Qualcomm y IBM. Ninguna de ellas ha anunciado aún ningún producto fabricado en los nodos SF3E, pero parece que algunas empresas poco conocidas ya están vendiendo sistemas que emplean el proceso de 3 nm de Samsung. Según TechInsights, entre las primeras empresas en utilizar el nodo más avanzado de Samsung se encuentra MicroBT, que se dedica principalmente a la criptominería criptominería.

TechInsights descubrió que un modelo específico de la cartera de MicroBT funciona con ASIC de 3 nm. El modelo se llama Whatsminer M56S++, se vende actualmente por 6.350 dólares y se utiliza para minar Bitcoin con un hashrate de hasta 254 Th/s y una eficiencia energética de 22 J/Th. Este sistema es tan grande como un PC de torre mediana, salvo que tiene una orientación horizontal, y pesa 16 kg. A la velocidad máxima, consume 5.588 W de la pared.

El modelo Whatsminer M56S++ es claramente más eficiente desde el punto de vista energético que el M30S, el más vendido, que es casi tres veces más lento a velocidades de 92 Th/s pero consume 3.600 W. Es cierto que el M30S es más pequeño y tiene menos ASIC, además de costar cinco veces menos, pero las especificaciones parecen estar en línea con las mejoras estimadas de 3 nm sobre 5 nm que incluyen un 45% menos de consumo y un 23% más de rendimiento para un número de transistores y frecuencias similares.

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