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Menos de 1 nm: Una nueva tecnología hace posibles los chips diminutos

La manipulación del cristal garantiza los componentes más pequeños posibles. (Fuente de la imagen: IBS)
La manipulación del cristal garantiza los componentes más pequeños posibles. (Fuente de la imagen: IBS)
7 nm, 5 nm, 3 nm. Cuanto más pequeños sean los MOSFET y los FinFET, más circuitos serán posibles en la misma superficie. Sin embargo, el desarrollo se topa con un límite muy práctico: el radio atómico.

Lo pequeño que puede construirse algo depende de lo pequeños que sean los bloques de construcción asociados. Un átomo de silicio, por ejemplo, mide 117 picómetros o 0,000000000117 metros. Eso no es mucho, pero la resolución más pequeña actual del proceso de producción de 3 nanómetros es sólo 26 veces este valor.

En algún momento, la estructura se volverá por tanto demasiado fina para garantizar una estructura fiable para un transistor. Sin embargo, un grupo de investigación del Instituto de Ciencias Básicas de Daejeon (Corea del Sur) ha conseguido saltarse varias generaciones de desarrollo de chips con la ayuda de un nuevo enfoque.

En la actualidad, la estructura deseada se imprime gradualmente sobre superficies sensibles a la luz en capas del grosor de una oblea mediante fotolitografía. Sin embargo, esto sólo es posible con un grosor de varios átomos.

Los defectos en los cristales no son mucho más anchos que los átomos. (Fuente de la imagen: Nanoscale Journal)
Los defectos en los cristales no son mucho más anchos que los átomos. (Fuente de la imagen: Nanoscale Journal)

Para sortear los límites técnicos del proceso litográfico, se utiliza en su lugar el defecto de una estructura cristalina como compuerta. Los investigadores encontraron lo que buscaban entre estructuras espejadas de cristales bidimensionales de disulfuro de molibdeno.

Ahí es precisamente donde se crea una brecha unidimensional de tan sólo 0,4 nanómetros, es decir, 400 picómetros o apenas más de tres átomos de silicio. Construyendo tal estructura molécula a molécula, fue posible hacerla casi diez veces más pequeña de lo que era posible anteriormente.

Partiendo de este tamaño, se podría construir un transistor con una longitud de 3,9 nanómetros, aunque de momento sólo en teoría. Esto corresponde a una sexta parte del proceso de fabricación de 3 nanómetros, o a una trigésima parte de la superficie.

Dependiendo de cuándo pueda lograrse una implementación técnica, el calendario de desarrollo del chip podría recibir un gran impulso. Mientras que los 2 nanómetros deberían alcanzarse en 2025, se suponía que una resolución de 0,5 nanómetros no podría lograrse hasta 2037.

Por tanto, la Ley de Moore podría seguir aplicándose durante bastante tiempo.

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Mario Petzold, 2024-07-15 (Update: 2024-07-15)