Neo Semiconductor lanza 3D X-DRAM, los primeros chips RAM 3D tipo NAND del mundo con 128 Gb de capacidad

Neo Semiconductor, fabricante estadounidense de memorias flash 3D NAND, lanza al mercado sus chips de memoria 3D X-DRAM, considerados los primeros del mundo en producir memorias flash 3D NAND nAND 3D-del mundo con capacidades muy superiores a las de las soluciones DRAM 2D. La primera iteración de la tecnología 3D X-DRAM puede alcanzar una densidad de 128 Gb con 230 capas por chip, 8 veces más que los actuales chips DRAM 2D. Neo Semiconductor cree que esta solución puede ampliarse más fácilmente y es menos costosa de implantar en comparación con otras alternativas de DRAM 3D, lo que la convierte en una sólida candidata para sustituir a la DRAM 2D en un futuro próximo.

La ventaja de la tecnología 3D X-DRAM reside en el uso del innovador diseño Floating Body Cell (FBC), que almacena los datos como cargas eléctricas utilizando un transistor y cero condensadores. A diferencia de otras alternativas a la DRAM 3D que intentan crear nuevos diseños más complicados, la X-DRAM 3D aprovecha los procesos NAND 3D ya maduros, por lo que sólo requiere una máscara para definir los agujeros de las líneas de bits y formar la estructura celular dentro de los agujeros. Este enfoque puede simplificar enormemente la producción, implementación y transición desde la DRAM 2D.

Neo Semiconductor ya publicó todas las solicitudes de patente pertinentes en la USPAP el 6 de abril de este año. La empresa está decidida a impulsar en la industria la DRAM-X 3D como solución necesaria para satisfacer la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y capacidad provocada por los rápidos avances de la IA. Según las estimaciones de Neo Semiconductor, la capacidad de memoria podría duplicarse hasta 256 Gb en 2025, mientras que en una década podrían ofrecerse capacidades de 1 Tb. Se dará a conocer más información en la Cumbre de la Memoria Flash que se celebrará el 9 de agosto de 2023.

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