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SK Hynix anuncia una DRAM de última generación basada en HBM3

SK Hynix presenta su memoria HBM3. (Fuente: SK Hynix)
SK Hynix presenta su memoria HBM3. (Fuente: SK Hynix)
SK Hynix ha presentado su último desarrollo, la memoria de gran ancho de banda 3 (o HBM3), como "la DRAM de mayor rendimiento del mundo". Su velocidad de procesamiento de datos es hasta un 78% mayor que la de su predecesora, gracias a la última técnica de TSV de su fabricante. La HBM3 también tiene una nueva capacidad máxima por módulo, gracias a los últimos procesos de fabricación.

SK Hynix ha lanzado su último producto de memoria de gran ancho de banda normalmente dirigida a casos de uso exigentes y de alto rendimiento como la IA, el aprendizaje automático, los gráficos de gama alta y las necesidades generales de los centros de datos. A pesar de su nombre, HBM3 se considera la cuarta generación de su estándar y representa una actualización de HBM2Eque supuso una mejora de HBM2 a su vez

Su fabricante surcoreano afirma que será la más potente DRAM de la Tierra cuando salga a la venta. Esto se debe a su nueva velocidad máxima de procesamiento de datos de 819 gigabytes por segundo (GB/s), es decir, hasta un 78% más rápida que la HBM2Ey podría permitir a un usuario transmitir hasta 163 archivos de vídeo de 5 GB de tamaño cada uno en sólo 1 segundo

SK Hynix también ha confirmado que ofrecerá su DRAM HBM3 con 24 GB de capacidad, además de los 16 GB máximos de HBM2E. Este nuevo tamaño máximo se ha conseguido gracias a los últimos avances en la producción de chips, gracias a los cuales la altura de los mismos se ha reducido a tan solo 30 micrómetros (μm), lo que permite a la empresa apilar 12 chips (frente a los 8 de HBM2E) en vertical para obtener una única pila de 24 GB

HBM3 de SK Hynix sigue a la espera de datos de disponibilidad y precio. No obstante, su fabricante prevé que que tendrá una gran demanda entre los compradores dedicados a la supercomputación de todo tipo cuando esté lista para su comercialización. Seon-yong Cha, vicepresidente ejecutivo de desarrollo de DRAM de esta empresa, indicó que esta HBM de nueva generación "consolidará nuestro liderazgo en el mercado de las memorias premium"

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Deirdre O'Donnell, 2021-10-22 (Update: 2021-10-22)