SK Hynix presenta chips de memoria NAND TLC de 1 Tb y 321 capas
SK Hynix exhibe los primeros chips de memoria Flash NAND TLC 4D de 321 capas y 1 Tb en la Flash Memory Summit (FMS) 2023, que se celebra en Santa Clara (EE. UU.) del 8 al 10 de agosto. Este avanzado tipo de memoria aún está en fase de desarrollo, pero la empresa surcoreana estima que la producción en masa debería comenzar en la primera mitad de 2025.
Los próximos chips 4D NAND de 321 capas y 1 Tb de quinta generación presentan una serie de ventajas, como un aumento del 59% de la capacidad por chip con respecto a los actuales chips de 238 capas y 512 Gb 238 capas de 512 Gbya que SK Hynix sigue perfeccionando el proceso de apilamiento de celdas. Con el fin de aprovechar al máximo los avanzados chips de 321 capas de 1 Tb, SK Hynix ya está desarrollando su próxima generación de chips PCIe 6.0 y UFS 5.0 de próxima generación, que se dirigirán principalmente a la iA generativa generativa.
Ahora que los chips de 238 capas y 512 Gb se producen a plena capacidad, SK Hynix también está introduciendo nuevos chips PCIe 5.0 y UFS 4.0de alto rendimiento y alta capacidad optimizadas para cargas de trabajo de IA.
Al lanzar nuevas generaciones de chips de memoria NAND con una cadencia de 2 años, SK Hynix busca consolidar su liderazgo tecnológico en el espacio NAND y promete seguir innovando para satisfacer los requisitos cada vez mayores de la era de la IA.
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