Samsung anuncia el almacenamiento de próxima generación basado en UFS 4.0 para los dispositivos móviles del futuro

La próxima generación de chips de almacenamiento para móviles. (Fuente: Samsung)

Samsung acaba de presentar en primicia lo último en soluciones de almacenamiento para hardware como smartphones y tabletas. El fabricante ha indicado que estos nuevos chips podrían ayudar a estos dispositivos a utilizar y transferir datos hasta el doble de rápido que sus predecesores, utilizando tan sólo la mitad de energía. Estos nuevos chips compatibles con UFS 4.0 también podrían impulsar la portabilidad de estos productos, por no hablar de su compatibilidad con casos de uso más exigentes, quizás incluso con la RV/AR.

Deirdre O'Donnell, Published 05/05/2022 🇺🇸 🇫🇷 ...

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En la actualidad, los fabricantes de equipos originales que buscan potenciar el atractivo de sus nuevos smartphones o tabletas pueden anunciarlos en términos de almacenamiento interno clasificados para UFS 3.1 lo que significa que cumple con la última JEDEC para la calidad y velocidad del almacenamiento flash universal (UFS) en el momento de su fabricación. Sin embargo, esta palabra de moda ha sido sustituida por una nueva, UFS 4.0, y Samsung ha confirmado en https://twitter.com/SamsungDSGlobal/status/1521525438488535040? que puede ofrecer un almacenamiento que cumpla estos criterios.

En efecto, el gigante surcoreano de la electrónica ha anunciado nuevos chips UFS con la última versión de JEDEC-aprobadas por el JEDEC. Incluyen un ancho de banda que puede llegar hasta los 23,2 gigabits por segundo (Gb/s) por carril de memoria, o el doble que bajo UFS 3.1

Esta velocidad se ve facilitada por la tecnología de vanguardia de 7ª generación, de 176capa V-NAND de última generación, que vendrá con un controlador propio en Samsung versión de almacenamiento UFS 4.0 de Samsung. El OEM lo promociona como como capaz de alcanzar velocidades de lectura secuencial de 4.200 megabytes por segundo (MB/s), además de velocidades de escritura secuencial de hasta 2.800 MB/s.

Estos nuevos UFS también están respaldados por ser más eficiente desde el punto de vista energético que nunca, con una velocidad de lectura secuencial estimada de 6 MB/s por miliamperio (mA), un ahorro de 46% en comparación con sus predecesores

Por lo tanto, Samsung afirma que son más que capaces de impulsar el rendimiento de la memoria interna en los dispositivos móviles de próxima generación, y también están capacitados para implementaciones como 5G o la distribución, realidad extendida (XR) o la próxima generación de vehículos inteligentes.

Actualmente, el OEM proyecta que este almacenamiento UFS 4.0 de próxima generación estará en producción en masa para el tercer trimestre de 2022, momento en el que se fabricarán como chips individuales marcadamente delgados y pequeños (~11 x 13 x 1 milímetros (mm)) que llegan hasta 1 terabyte (1TB) de capacidad.