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Samsung anuncia un estándar de memoria GDDR7 de 36 Gbps y pretende lanzar soluciones de almacenamiento V-NAND con 1000 capas para 2030

La GDDR7 podría lanzarse con las futuras GPU RTX 5000 y RDNA 4. (Fuente de la imagen: Samsung)
La GDDR7 podría lanzarse con las futuras GPU RTX 5000 y RDNA 4. (Fuente de la imagen: Samsung)
El nuevo estándar GDDR7 de 36 Gbps ofrece un 50% más de velocidad que el actual GDDR6X de 24 Gbps de Micron. El ancho de banda máximo de la GDDR7 podría alcanzar 1,7 TB/s con un bus de 384 bits. Samsung también tiene previsto lanzar chips DDR5 de 32 Gb este año, y prevé un futuro en el que el almacenamiento V-NAND de 1000 capas podría ser posible en 2030.

Samsung presentó una nueva ola de soluciones de memoria y planes futuros para mejorar exponencialmente el rendimiento para los mercados de centros de datos, servidores, móviles, juegos y automóviles. Los aspectos más destacados de la memoria en el Samsung Tech Day de este año incluyen la mejora de las capacidades de DDR5 El anuncio del estándar GDDR de nueva generación y una visión de futuro para V-NAND de la tecnología de almacenamiento V-NAND.

Para el mercado de la memoria DRAM, Samsung está acelerando el proceso de producción 1b que permite escalar más allá de los 10 nm gracias a tecnologías como la High-K. La empresa introducirá pronto densidades de DDR5 de 32 Gb por chip de memoria, lo que supone un aumento del doble respecto a los actuales chips de 16 Gb y del 33% respecto a los de 24 Gb. Además, la memoria de 8,5 Gbps LPDDR5X Para teléfonos móviles y ultrabooks también se espera que aumenten su adopción a lo largo del próximo año. Las soluciones DRAM a medida, como HBM-PIMaXDIMM y CXL para permitir el procesamiento acelerado de aplicaciones de IA y redes neuronales.

Las GPU de nueva generación se beneficiarán de una memoria RAM más rápida, ya que el gigante surcoreano ha anunciado las especificaciones GDDR7 con tasas de transferencia de hasta 36 Gbps. Este nuevo estándar debería mejorar las velocidades en un 50% en comparación con las actuales 24 Gbps GDDR6X de Micron que ofrecen algunas tarjetas Nvidia RTX 4000. Con un bus de 384 bits, GDDR7 puede proporcionar teóricamente un ancho de banda de 1,7 TB/s, pero un bus de 256 bits también puede superar el límite de 1 TB/s.

Por último, pero no por ello menos importante, Samsung ha hablado de la mejora de los chips de memoria de almacenamiento V-NAND. los chips V-NAND TLC de 1 Tb estarán disponibles a finales de 2022, y el desarrollo de la novena generación de V-NAND ya está en marcha, con la producción de los primeros chips prevista para 2024. Samsung pretende lanzar una solución V-NAND de 1000 capas para 2030

 

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Bogdan Solca, 2022-10- 7 (Update: 2022-10- 7)