Samsung comienza a producir en masa DRAM DDR5 de 14nm por EUV
Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de la moderna memoria DDR5 de 14 nm basada en la tecnología EUV DDR5 DRAM. Samsung también ha anunciado que la empresa ha conseguido aumentar la EUV a cinco capas. Esto ha permitido al gigante coreano obtener la mayor densidad de bits de DRAM del mercado, al tiempo que ha mejorado la productividad de las obleas en un 20%. Además, gracias al uso del proceso de fabricación de 14nm, los nuevos chips DRAM DDR5 de Samsung son hasta un 20% más eficientes desde el punto de vista energético en comparación con el nodo DRAM de la generación anterior de la empresa.
Según Jooyoung Lee, vicepresidente senior de Samsung Electronics y responsable de productos y tecnología DRAM, la EUV multicapa de Samsung hace posible la DRAM DDR5 de 14nm, un producto que no estaba previsto con el proceso tradicional de fluoruro de argón (ArF)
La nueva DRAM DDR5 de Samsung funcionará a velocidades cercanas a los 7,2 gigabits por segundo (Gbps), casi el doble que la DDR4 dDR4. Esto supondrá un importante aumento de velocidad para las aplicaciones de servidor y las cargas de trabajo de IA. Samsung también está buscando aumentar la densidad de bits de sus ofertas de DDR5 de 14nm a 24 Gb en los próximos años, consolidando aún más a la compañía como el fabricante de semiconductores en el espacio de IA y 5G.
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