Samsung desarrolla la primera DRAM GDDR7 del sector con un ancho de banda de 1,5 TBps
Tras mostrarla por primera vez el mes pasado, Samsung ha anunciado ahora que la fase de desarrollo de la primera solución DRAM GDDR7 del sector ha concluido. Esta nueva solución de memoria de alta velocidad de Samsung llega después de que el año pasado la primera DRAM GDDR6 de 24 Gbps de la industria.
Según Yongcheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo del Equipo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics, "Nuestra DRAM GDDR7 contribuirá a elevar la experiencia del usuario en áreas que requieren un rendimiento gráfico excepcional, como estaciones de trabajo, PC y videoconsolas, y se espera que se extienda a aplicaciones futuras como la IA, la informática de alto rendimiento (HPC) y los vehículos de automoción."
Los aspectos técnicos más destacados de este nuevo chip de memoria incluyen un ancho de banda 1,4 veces superior al de GDDR6 (1,5 TBps frente a 1,1 TBps), una velocidad máxima aumentada por pin de 32 Gbps, así como una sólida mejora del 20% en eficiencia energética. A esto hay que añadir el uso de un compuesto de moldeo epoxi para el material de embalaje que, junto con la optimización de la arquitectura del circuito integrado de estos nuevos chips de memoria, reduce la resistencia térmica en un enorme 70% en comparación con GDDR6.
Los primeros productos de hardware que utilicen la nueva DRAM GDDR7 de Samsung podrían llegar al mercado a finales de 2023, si todo va según lo previsto. En los próximos meses aparecerá más información al respecto directamente de los distintos socios de Samsung implicados, así que permanezca atento.
Fuente(s)
