Samsung está desarrollando chips de memoria DDR5 de 24 Gb para módulos de RAM de 768 GB

Samsung ya demostró que módulos de memoria DDR5 de 512 GB son posibles y estos comenzarán a desplegarse a finales de 2021 para preparar la llegada de los Procesadores Intel Sapphire Rapids cuyo lanzamiento está previsto para 2022, pero el gigante coreano ha revelado recientemente en su última convocatoria de resultados del segundo trimestre de 2021 que está desarrollando módulos aún más potentes diseñados específicamente para los centros de datos en la nube. Los módulos de 512 GB utilizan 32 pilas de 16 GB, cada una de las cuales integra 8 chips DRAM de 16 Gb. Samsung planea ahora ampliar la capacidad total de los módulos a 768 GB utilizando chips de memoria de 24 Gb, por lo que una CPU de servidor que soporte ocho canales de memoria con dos módulos por canal podría llegar a albergar nada menos que 12 TB de RAM DDR5.

Tanto los módulos de 512 como los de 768 GB se producirán en masa en los nodos D1a de Samsung con 14 nm EUV de 14 nm. Samsung explica que no pudo duplicar efectivamente la densidad de los chips de 16 Gb a 32 Gb debido a las limitaciones de los nodos D1a. No obstante, estas capacidades deberían ser suficientes para los próximos años hasta que Samsung encuentre la forma de mejorar el proceso de producción. Además de todos los módulos de servidor en la nube de gama alta, Samsung tiene la intención de añadir los nuevos chips de memoria de 24 Gb a los módulos de servidor convencionales y ultradensos con capacidades de 96 / 192 / 384 GB. Los próximos chips podrían utilizarse incluso en módulos de PC de consumo con capacidades de 24 y 48 GB.

Todavía no se ha revelado el plazo exacto de producción de los chips de memoria DDR5 de 24 Gb. Dado que Samsung cree que los módulos de 512 GB serán suficientes para los servidores Intel Sapphire Rapids, podríamos esperar ver la disponibilidad comercial de los chips de 24 Gb en algún momento de 2023.

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