Samsung presenta el estándar GDDR6W con el doble de capacidad que GDDR6X y un ancho de banda que casi iguala a HBM2E
Samsung anuncia las especificaciones de la GDDR6W menos de 2 meses después de presentar la GDDR7 y que se han presentado las especificaciones GDDR7. Parece que los productos que integren los chips VRAM GDDR7 podrían tardar un poco más en llegar al mercado, ya que Samsung afirma que la estandarización JEDEC para los productos VRAM GDDR6W ya se ha completado en el segundo trimestre de este año, y el gigante surcoreano tiene previsto llevar este estándar a los portátiles y al sector de la informática de alto rendimiento lo antes posible. Además de ofrecer un mayor ancho de banda y el doble de capacidad y pines de E/S respecto a la 24 Gbps GDDR6X el estándar GDDR6W se ha desarrollado con el revolucionario diseño FOWLP (fan-out wafer-level packaging), que permite un espacio sin cambios para que los integradores puedan utilizar el mismo proceso de producción de GDDR6X y reducir el tiempo y los costes de implementación.
La capacidad se ha duplicado, pasando de 16 Gb a 32 Gb por troquel, mientras que el número de pines de E/S se ha duplicado, pasando de 32 a 64. Esto no sólo se traduce en una reducción de área del 50% respecto a la GDDR6X, sino que la FOWLP también reduce la altura de la matriz de 1,1 mm a 0,7 mm al eliminar la capa base de la PCB y sustituirla por una oblea de silicio que integra los propios chips de la VRAM.
En cuanto al ancho de banda bruto, Samsung afirma que la VRAM GDDR6W puede casi igualar el estándar HBM de forma más eficiente. Mientras que la HBM2E tienen un ancho de banda a nivel de sistema de 1,6 TB/s con 4096 pines de E/S y una tasa de transferencia de 3,2 Gbps por pin, el nuevo estándar GDDR6W ofrece un ancho de banda de 1,4 TB/s con 512 pines de E/S y una tasa de 22 Gbps por pin. La reducción del número de carriles de E/S en 8 veces elimina esencialmente la necesidad de una capa de interposición y la hace más rentable para los integradores de productos. Como referencia, GDDR6X ofrece hasta 1,1 TB/s de ancho de banda, por lo que GDDR6W sería un ~30% más rápida. Por otro lado, se espera que GDDR7 ofrezca un ancho de banda de 1,7 TB/s en un bus de 384 bits.
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