Samsung presenta una hoja de ruta actualizada para sus próximos nodos de producción de 3 nm y 2 nm

En su 5º evento anual del Foundry Forum, Samsung publicó información actualizada sobre la migración a los nodos avanzados de 3 nm y 2 nm basados en la estructura de transistores Gate-All-Around. Samsung aún tiene que demostrar que sus nodos de 5 nm son una alternativa viable a los N5 de TSMC de TSMC que se utilizan para la producción de Applede los últimos SoC para móviles. A medida que la competencia entre las dos principales fundiciones se vuelve más agresiva, Samsung intenta ahora demostrar su superioridad impulsando la adopción de la tecnología GAA una generación antes que TSMC, que sigue planeando utilizar el venerable FinFET en los próximos nodos Nodos N3.

Samsung especifica que su tecnología GAA se conoce ahora como MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Al ser el primer nodo que utiliza MBCFET, se dice que el proceso de fabricación de 3 nm de Samsung reduce el área lógica en un 35%, a la vez que mejora el rendimiento en un 30% y también reduce las necesidades de energía en un 50% en comparación con el nodo actual de 5 nm. Además, se ha mejorado la madurez del proceso, ya que el nodo de 3 nm ya se acerca a niveles de rendimiento lógico similares a los del nodo intermedio de nodo de 4 nm que recientemente se ha puesto en marcha para la producción en masa.

Al igual que el nodo N3 de TSMC, está previsto que el proceso de 3 nm de Samsung comience a producir diseños de chips para clientes en la primera mitad de 2022. Se espera que un nodo de 3 nm de segunda generación entre en funcionamiento en 2023, y Samsung estima que los nodos de 2 nm que integran la tecnología MBCFET refinada deberían estar listos para la producción en masa en 2025. TSMC, por su parte, tiene previsto integrar Transistores GAA por primera vez en sus nodos N2 que se espera que entren en funcionamiento en 2024.

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