Se espera que TSMC anuncie el próximo mes sus planes para los nodos de producción de 1,4 nm

Mientras los científicos exploran diversas formas de hacer viable la fabricación de transistores de menos de 1 nm, las mayores fundiciones del mundo compiten para ver quién puede lanzar los primeros nodos de producción de la era angstrom. Aunque Intel fue la primera en anunciar 20A e incluso nodos de 18A previstos para después de 2025, lo más probable es que éstos no sean verdaderos nodos sub-2 nm, a juzgar por el esquema de nomenclatura elegido por el Team Blue (Intel 7por ejemplo, es de 10 nm). Por otro lado, Samsung y TSMC no dejan de superarse mutuamente. Se espera que TSMC comience a fabricar nodos de 2 nm junto con la introducción de los transistores GAAFet, pero Samsung ya tiene previsto dar el salto a GAAFet con su 3 nm a finales de este año. Ahora TSMC vuelve a subir la apuesta, ya que prepara un anuncio para sus nodos de 1,4 nm en junio.

Según un reciente informe de Business Korea, los preparativos para los nodos de 1,4 nm comenzarán con la conversión del equipo de I+D de 3 nm en uno que iniciará la búsqueda de caminos para el proceso más avanzado. Podría presentarse más información oficial sobre los nodos de 1,4 nm en el Simposio de Tecnología de TSMC previsto para el mes que viene. Será interesante ver si TSMC puede seguir empleando transistores GAAFet para los nodos de 1,4 nm o intentar implementar alguna tecnología nueva como graphene nanomesh. Además, es posible que TSMC mejore el proceso de litografía EUV con una mejora de la apertura numérica de 0,33 a 0,55

Al parecer, Intel será la primera en utilizar la litografía de mayor apertura numérica con los nodos 20A y 18A en 2025. Una vez más, no se trata de verdaderos nodos de 2 nm, pero se sabe que Intel al menos igualará la densidad proporcionada por los nodos de TSMC. Puede que el salto de 2 nm a 1,4 nm no suene demasiado impresionante, pero hay que tener en cuenta que la precisión tiene que aumentar exponencialmente y, al mismo tiempo, mantener rendimientos suficientemente altos. Puede que esto no se consiga con los transistores GAAFet y TSMC podría verse obligada a explorar otras soluciones. Si TSMC mantiene su ritmo actual, los nodos de 1,4 nm podrían entrar en funcionamiento en 2028.

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