Se rumorea que Samsung y SK Hynix aumentarán el rendimiento de los aceleradores de IA con la llegada del estándar DRAM HBM4

La DRAM HBM sigue siendo cara en comparación con la solución GDDR que vemos integrada en las tarjetas de vídeo de consumo tarjetas de vídeo de consumopero el precio justifica en gran medida el aumento de rendimiento. Esta es la razón por la que HBM se suministra con aceleradores HPC y AI por el momento. También es la razón por la que las últimas tarjetas H100 de Nvidia cuestan tanto, ya que llevan DRAM HMB3E. Fuentes surcoreanas cercanas a DigiTimes afirman que la situación podría cambiar pronto con la introducción del estándar HBM4, que duplica el ancho del bus de memoria con respecto a la versión anterior.

Según DigiTimes, HBM4 será la actualización más importante en la historia de la DRAM HBM, ya que aumentará el ancho del bus de pila de 1024 bits a 2048 bits. El actual estándar HBM3 cuenta con ~9 GT/s por chip, lo que supone un ancho de banda máximo de 1,15 TB/s para todas las pilas. Si el estándar HBM4 mantiene el mismo número de pilas, el ancho de banda máximo podría alcanzar los 2,30 TB/s.

Tomemos como ejemplo la Nvidia H100por ejemplo. Esta tarjeta cuenta con seis stack dies (KGSD) HBM3E de 1024 bits que se combinan para crear una interfaz de 6144 bits. Debido a la preocupación por la dificultad de fabricar pilas de memoria con más de 1.024 a través de vías de silicio, Samsung y SK Hynix tendrán que demostrar que pueden mantener el mismo número de pilas y aumentar la anchura del bus a 2048 bits, a pesar de las afirmaciones de rendimientos cercanos al 100%.

Compra la tarjeta de cálculo Nvida H100 con 80 GB de RAM HBM2E en Amazon