Snapdragon 8 Gen 4 para Galaxy podría fabricarse en el nodo 3GAP de Samsung; la versión normal utilizará TSMC N3E
El próximo Snapdragon 8 Gen 3 está prácticamente confirmado que se fabricará en el nodo de proceso N4P de TSMC, lo que lo sitúa en desventaja teórica frente al A17 Bionic basado en N3B de TSMC. Sin embargo, la situación podría ser más compleja el año que viene si un reciente tuit del filtrador @tech_reve es exacto.
Al parecer, Qualcomm planea fabricar en doble fuente el Snapdragon 8 Gen 4. Una variante del SoC, probablemente destinada al uso general, se fabricará en TSMC N3E. Por otro lado, el Snapdragon 8 Gen 4 para Galaxy, su versión exclusiva para Samsung, se fabricará en el nodo 3GAP de Samsung Foundries. Curiosamente, el chip Dream Team, también conocido como Exynos 2500también se espera que siga sus pasos.
Aunque no es infrecuente que los OEM se abastezcan de chips de dos fundiciones diferentes, se produjo un desastre (¿recuerdas el Chipgate?) la única vez que Apple lo intentó con el A9 en 2015. Sin embargo, en lugar de que el público en general se resienta, esta vez solo se verán afectados los usuarios de Samsung. No obstante, será interesante ver cómo se comportan las dos variantes de Snapdragon 8 Gen 4 en el mundo real.
El historial poco estelar de Samsung Foundries hace que sea fácil tachar sus productos de inferiores. Sin embargo, el diseño de su transistor de compuerta integral podría ayudar a salvar la enorme brecha de rendimiento/termia/eficiencia entre las ofertas de TSMC de especificaciones similares. Esto, combinado con los nuevos núcleos de CPU Nuvia Núcleos de CPU Nuvia y la compatibilidad con dGPU externa, podría darle la ventaja competitiva que tanto necesita para enfrentarse a Apple.
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