TSMC va a la zaga de Samsung Foundry en rendimiento de 3 nm
Un informe anterior afirmaba Samsung Foundry lo estaba haciendo bastante bien con su nodo de 3 nm, con rendimientos del 60%. Mapple_Goldun conocedor del sector, afirmó que en una ocasión llegó al 75%. Por otro lado, parece que TSMC sigue teniendo problemas con su nodo de 3 nm, según un informe del medio surcoreano KMIB.
El rendimiento del fabricante de chips taiwanés se sitúa actualmente en el 55%. Aunque no menciona la variante N3 en cuestión, es probable que se trate de N3B, la primera iteración. La decisión de TSMC de mantener un diseño FinFET puede tener algo que ver con el bajo rendimiento.
Por otro lado, el nodo de 3 nm de Samsung utiliza la nueva tecnología GAA FET, que TSMC adoptará para su próxima generación de chips. Los rumores de Meeco sugieren que los problemas de TSMC podrían no acabar pronto y persistir en su nodo de 2 nm. Para colmo, la competencia será mucho más intensa en ese momento (2025), con Intel Foundry Services con su nodo 18A.
A pesar de su mayor rendimiento, Samsung Foundry aún no ha conseguido atraer clientes. Sin embargo, esto podría cambiar pronto, ya que AMD utilizará su nodo de 3 nm para algunas de sus próximas piezas de IA y centros de datos. Aunque Apple sigue acaparando la mayor parte de la capacidad de 3 nm, otras empresas como Qualcomm podrían verse obligados a mirar a Samsung, a pesar de su problemático pasado con el Snapdragon 888 y Snapdragon 8 Gen 1.
Fuente(s)
KMIB (en coreano)
